包括反熔丝的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911257642.9

申请日：

2019-12-10

公开(公告)号：

CN111384023A

公开(公告)日：

2020-07-07

发明(设计)人：

李东贤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L23525

IPC分类号：

H01L27112

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

许伟群;周晓雨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/525 申请日:20191210
2020-07-07	公开	公开

共 50 条

[1]

包括反熔丝的半导体器件及其制造方法 [P].

李东贤 .

韩国专利 :CN111384023B ,2024-03-26

[2]

反熔丝元件、反熔丝元件的制造方法及半导体器件 [P].

甘正浩 ;

洪中山 .

中国专利 :CN105097771B ,2015-11-25

[3]

包括氧化物半导体的半导体器件及其制造方法 [P].

车俊会 .

韩国专利 :CN118486702A ,2024-08-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN105845578A ,2016-08-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴范琎 ;

姜明吉 ;

金洞院 ;

金永权 ;

金钟守 ;

庾烋旻 ;

郑秀真 .

韩国专利 :CN119300461A ,2025-01-10

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵冬雪 ;

杨远程 ;

杨涛 ;

孙昌志 ;

刘威 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119999351A ,2025-05-13

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN106972054B ,2017-07-21

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上真雄 ;

门岛胜 ;

川嶋祥之 ;

山川市朗 .

日本专利 :CN110729301B ,2024-11-08

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

陈奕升 ;

吴政宪 ;

叶致锴 .

中国专利 :CN106876275A ,2017-06-20

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

林志翰 .

中国专利 :CN106158854B ,2016-11-23

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