基于毫米波超低功率应用的肖特基二极管精确建模方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710524137.0

申请日：

2017-06-30

公开(公告)号：

CN107341305B

公开(公告)日：

2017-11-10

发明(设计)人：

张浩仲正姚鸿

申请人：

申请人地址：

215028 江苏省苏州市吴中区苏州工业园区独墅湖高等教育区林泉街377号公共学院1区319室

IPC主分类号：

G06F3020

IPC分类号：

代理机构：

南京苏科专利代理有限责任公司 32102

代理人：

陈栋智

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	授权	授权
2017-11-10	公开	公开
2017-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20170630

共 50 条

[1]

具有反向隔离槽的毫米波肖特基二极管 [P].

李晋 .

中国专利 :CN113345953B ,2021-09-03

[2]

新结构肖特基毫米波混频二极管 [P].

张海英 .

中国专利 :CN1630101A ,2005-06-22

[3]

毫米波薄膜肖特基二极管及其制备方法 [P].

陈海森 ;

王俊龙 ;

杨明宣 ;

金雷 .

中国专利 :CN115425066A ,2022-12-02

[4]

基于肖特基二极管对的毫米波双频段倍频器 [P].

赵明华 ;

刘永杰 ;

何宗锐 .

中国专利 :CN105048965A ,2015-11-11

[5]

一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法 [P].

杨凌 ;

马晓华 ;

芦浩 ;

宓珉翰 ;

周小伟 ;

侯斌 ;

祝杰杰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109216332A ,2019-01-15

[6]

新型毫米波Ga2O3肖特基二极管 [P].

安国雨 ;

张志国 ;

刘育青 ;

郭黛翡 ;

张洋阳 .

中国专利 :CN111509051A ,2020-08-07

[7]

GaAs基混频肖特基二极管毫米波及太赫兹频段建模方法 [P].

王俊龙 ;

杨大宝 ;

邢东 ;

梁士雄 ;

张立森 ;

赵向阳 ;

冯志红 .

中国专利 :CN104268355A ,2015-01-07

[8]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336151A ,2018-07-27

[9]

肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336150B ,2018-07-27

[10]

肖特基二极管 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN203351612U ,2013-12-18

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