高压半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610114910.1

申请日：

2016-03-01

公开(公告)号：

CN107146814B

公开(公告)日：

2017-09-08

发明(设计)人：

秦玉龙林鑫成林文新吴政璁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L21762 H01L2906

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

郭晓宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101751211025 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016101149101 申请日:20160301
2020-09-11	授权	授权
2017-09-08	公开	公开

共 50 条

[1]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

吴政璁 ;

林鑫成 ;

林文新 ;

胡钰豪 .

中国专利 :CN109216453B ,2019-01-15

[2]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

罗宗仁 ;

刘兴潮 ;

陈巨峰 ;

周苇俊 .

中国专利 :CN105789280B ,2016-07-20

[3]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

林志威 ;

庄璧光 ;

吴昭纬 .

中国专利 :CN106611785B ,2017-05-03

[4]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

许健 ;

韦维克 ;

陈柏安 ;

谢克·麦斯坦巴雪 ;

戴许曼·普佳·瑞凡卓 ;

巴提·莫尼卡 ;

席德·内亚兹·依曼 .

中国专利 :CN110783402A ,2020-02-11

[5]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

林志威 ;

邱柏豪 ;

林庚谕 .

中国专利 :CN108695386B ,2018-10-23

[6]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

林志鸿 ;

李家豪 .

中国专利 :CN110349929A ,2019-10-18

[7]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

罗宗仁 ;

刘兴潮 ;

陈巨峰 ;

周苇俊 .

中国专利 :CN105529362A ,2016-04-27

[8]

立式耐高压半导体装置及其制造方法 [P].

田中敦之 ;

岩室宪幸 ;

原田信介 .

中国专利 :CN104303312B ,2015-01-21

[9]

半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法 [P].

谷田一真 ;

根本义彦 ;

高桥健司 .

中国专利 :CN1738027A ,2006-02-22

[10]

半导体装置及其制造方法、半导体基板及其制造方法 [P].

三岛康由 .

中国专利 :CN1954418A ,2007-04-25

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