立式耐高压半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380022008.1

申请日：

2013-03-14

公开(公告)号：

CN104303312B

公开(公告)日：

2015-01-21

发明(设计)人：

田中敦之岩室宪幸原田信介

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2912

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李逸雪

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-21	公开	公开
2021-03-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20130314 授权公告日:20180320 终止日期:20200314
2015-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599230245 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013800220081 申请日:20130314
2018-03-20	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

南志昌 .

中国专利 :CN103295910B ,2013-09-11

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1157794C ,2001-04-25

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

张雄世 ;

张睿钧 ;

李琮雄 .

中国专利 :CN104979392A ,2015-10-14

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

由上二郎 ;

岩松俊明 ;

堀田胜之 ;

槙山秀树 ;

井上靖朗 ;

山本芳树 .

中国专利 :CN103137705A ,2013-06-05

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

古畑智之 .

中国专利 :CN105390547B ,2016-03-09

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

小田岛庆汰 .

中国专利 :CN101197397A ,2008-06-11

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

安藤直人 .

中国专利 :CN106972059B ,2017-07-21

[8]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

罗宗仁 ;

刘兴潮 ;

陈巨峰 ;

周苇俊 .

中国专利 :CN105789280B ,2016-07-20

[9]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

林志威 ;

庄璧光 ;

吴昭纬 .

中国专利 :CN106611785B ,2017-05-03

[10]

高压半导体装置及其制造方法 [P].

许健 ;

韦维克 ;

陈柏安 ;

谢克·麦斯坦巴雪 ;

戴许曼·普佳·瑞凡卓 ;

巴提·莫尼卡 ;

席德·内亚兹·依曼 .

中国专利 :CN110783402A ,2020-02-11

← 1 2 3 4 5 →