半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210513055.3

申请日：

2012-12-04

公开(公告)号：

CN103137705A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

由上二郎岩松俊明堀田胜之槙山秀树井上靖朗山本芳树

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27088 H01L218234 H01L21336 H01L21762

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李亚;穆德骏

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722678366 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012105130553 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2013-06-05	公开	公开
2017-12-22	授权	授权
2014-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101593569342 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012105130553 申请日:20121204

共 50 条

[1]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

白滨聪 .

中国专利 :CN101877337A ,2010-11-03

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

林弘德 ;

尤宏誌 ;

刘家玮 .

中国专利 :CN114783941A ,2022-07-22

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

李琮雄 ;

林鑫成 .

中国专利 :CN104979389A ,2015-10-14

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

国清辰也 .

中国专利 :CN1157794C ,2001-04-25

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

砂村润 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103681691A ,2014-03-26

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

丸山祥辉 ;

金冈龙范 ;

植西俊哉 .

中国专利 :CN1707770A ,2005-12-14

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

高野和丰 .

中国专利 :CN102024812A ,2011-04-20

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

青池将之 ;

黑川敦 ;

小林敦 .

中国专利 :CN107968035A ,2018-04-27

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

曽谷直哉 ;

长谷川勋 ;

井手大辅 .

中国专利 :CN100448030C ,2005-11-30

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