半导体封装及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810824906.3

申请日：

2018-07-25

公开(公告)号：

CN109411369A

公开(公告)日：

2019-03-01

发明(设计)人：

S·克里南王松伟周志雄刘豪杰陈费费

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L2156

IPC分类号：

H01L2331

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

王琳;姚开丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/56 申请日:20180725
2019-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

刘乃玮 ;

林子闳 ;

彭逸轩 ;

萧景文 ;

黄伟哲 .

中国专利 :CN106560918A ,2017-04-12

[2]

半导体封装件及其形成方法 [P].

蔡仲豪 ;

林佳加 ;

吴凯强 ;

王垂堂 ;

余振华 .

中国专利 :CN110299351B ,2019-10-01

[3]

半导体封装件及其形成方法 [P].

余振华 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

郑明达 .

中国专利 :CN105679741A ,2016-06-15

[4]

半导体封装件及其形成方法 [P].

刘重希 ;

李建勋 ;

吴俊毅 ;

侯皓程 ;

林鸿仁 ;

郑荣伟 ;

王宗鼎 ;

梁裕民 ;

邹立为 .

中国专利 :CN109585391A ,2019-04-05

[5]

半导体封装件及其形成方法 [P].

余振华 ;

刘重希 ;

林志伟 ;

郭宏瑞 ;

郑明达 ;

胡毓祥 .

中国专利 :CN105679718A ,2016-06-15

[6]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

林子闳 ;

彭逸轩 ;

萧景文 ;

刘乃玮 ;

黄伟哲 .

中国专利 :CN107104087A ,2017-08-29

[7]

半导体封装及其形成方法 [P].

张家纶 ;

谢静华 ;

蔡仲豪 ;

刘重希 ;

王垂堂 ;

林修任 .

中国专利 :CN113053835A ,2021-06-29

[8]

半导体封装及其形成方法 [P].

金泳龙 ;

金泰勋 ;

张喆容 ;

李种昊 .

中国专利 :CN102891136B ,2013-01-23

[9]

半导体封装及其形成方法 [P].

李承炫 ;

朴睿进 ;

李喜秀 ;

卓铉洙 ;

朴相俊 .

韩国专利 :CN119170607A ,2024-12-20

[10]

半导体封装及其形成方法 [P].

权五荣 ;

李镕泽 ;

洪承万 .

:CN118899272A ,2024-11-05

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