半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910967497.7

申请日：

2019-10-12

公开(公告)号：

CN110690163B

公开(公告)日：

2020-01-14

发明(设计)人：

张春艳孙鹏李恒甫包焓曹立强

申请人：

申请人地址：

200120 上海市自由贸易试验区创新西路778号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21683

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-19	授权	授权
2020-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20191012
2020-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

张春艳 ;

孙鹏 ;

李恒甫 ;

包焓 ;

曹立强 .

中国专利 :CN110690164A ,2020-01-14

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13

[3]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969271A ,2013-03-13

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969272A ,2013-03-13

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

胡华勇 ;

单朝杰 .

中国专利 :CN102646573B ,2012-08-22

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969270A ,2013-03-13

[7]

半导体器件制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 ;

戴韫青 ;

王剑 .

中国专利 :CN102339790A ,2012-02-01

[8]

半导体器件制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 ;

戴韫青 ;

王剑 .

中国专利 :CN102339792A ,2012-02-01

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

张敬伟 ;

贺锋 ;

李天运 .

中国专利 :CN114220863A ,2022-03-22

[10]

半导体器件的制作方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN103165426B ,2013-06-19

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