半导体器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111564245.3
申请日
2021-12-20
公开(公告)号
CN114220863A
公开(公告)日
2022-03-22
发明(设计)人
张敬伟 贺锋 李天运
申请人
申请人地址
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区通惠干渠路17号院
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906 H01L21336
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
王娇娇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
张春艳 ;
孙鹏 ;
李恒甫 ;
包焓 ;
曹立强 .
中国专利 :CN110690164A ,2020-01-14
[2]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
张春艳 ;
孙鹏 ;
李恒甫 ;
包焓 ;
曹立强 .
中国专利 :CN110690163B ,2020-01-14
[3]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘煊杰 ;
陈晓军 .
中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27
[4]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
王津洲 .
中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20
[5]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
骆志炯 ;
朱慧珑 ;
尹海洲 .
中国专利 :CN102214690A ,2011-10-12
[6]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13
[7]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
宛伟 .
中国专利 :CN111128895A ,2020-05-08
[8]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
王津洲 .
中国专利 :CN101211970B ,2008-07-02
[9]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102969271A ,2013-03-13
[10]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
伏兵 ;
嵇庆培 ;
马英杰 ;
蔡和勋 ;
许宗琦 .
中国专利 :CN114156383A ,2022-03-08