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半导体器件及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111564245.3
申请日
:
2021-12-20
公开(公告)号
:
CN114220863A
公开(公告)日
:
2022-03-22
发明(设计)人
:
张敬伟
贺锋
李天运
申请人
:
申请人地址
:
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区通惠干渠路17号院
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L2906
H01L21336
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
王娇娇
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-22
公开
公开
2022-04-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20211220
共 50 条
[1]
半导体器件及其制作方法
[P].
张春艳
论文数:
0
引用数:
0
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0
张春艳
;
孙鹏
论文数:
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孙鹏
;
李恒甫
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李恒甫
;
包焓
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包焓
;
曹立强
论文数:
0
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0
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曹立强
.
中国专利
:CN110690164A
,2020-01-14
[2]
半导体器件及其制作方法
[P].
张春艳
论文数:
0
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张春艳
;
孙鹏
论文数:
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孙鹏
;
李恒甫
论文数:
0
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李恒甫
;
包焓
论文数:
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包焓
;
曹立强
论文数:
0
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曹立强
.
中国专利
:CN110690163B
,2020-01-14
[3]
半导体器件及其制作方法
[P].
刘煊杰
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0
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刘煊杰
;
陈晓军
论文数:
0
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0
陈晓军
.
中国专利
:CN103000571B
,2013-03-27
[4]
半导体器件及其制作方法
[P].
王津洲
论文数:
0
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王津洲
.
中国专利
:CN101246903A
,2008-08-20
[5]
半导体器件及其制作方法
[P].
骆志炯
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骆志炯
;
朱慧珑
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朱慧珑
;
尹海洲
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尹海洲
.
中国专利
:CN102214690A
,2011-10-12
[6]
半导体器件及其制作方法
[P].
毛智彪
论文数:
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毛智彪
;
胡友存
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胡友存
.
中国专利
:CN102969269A
,2013-03-13
[7]
半导体器件及其制作方法
[P].
宛伟
论文数:
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宛伟
.
中国专利
:CN111128895A
,2020-05-08
[8]
半导体器件及其制作方法
[P].
王津洲
论文数:
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0
王津洲
.
中国专利
:CN101211970B
,2008-07-02
[9]
半导体器件及其制作方法
[P].
毛智彪
论文数:
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毛智彪
;
胡友存
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胡友存
.
中国专利
:CN102969271A
,2013-03-13
[10]
半导体器件及其制作方法
[P].
伏兵
论文数:
0
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伏兵
;
嵇庆培
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嵇庆培
;
马英杰
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马英杰
;
蔡和勋
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蔡和勋
;
许宗琦
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许宗琦
.
中国专利
:CN114156383A
,2022-03-08
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