半导体制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99813035.4

申请日：

1999-10-27

公开(公告)号：

CN1325544A

公开(公告)日：

2001-12-05

发明(设计)人：

J·C·尼斯特伦 T·约翰松

申请人：

申请人地址：

瑞典斯德哥尔摩

IPC主分类号：

H01L2177

IPC分类号：

H01L218222

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王勇;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2001-12-05	公开	公开
2004-06-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

半导体制作方法 [P].

沈荣亮 ;

颜松 ;

周舟 ;

阚保国 ;

陈伏宏 .

中国专利 :CN119943671A ,2025-05-06

[2]

半导体制作方法 [P].

杨军 .

中国专利 :CN112542383B ,2021-03-23

[3]

半导体制作方法 [P].

何理 ;

巨晓华 ;

王奇伟 .

中国专利 :CN110854121A ,2020-02-28

[4]

半导体制作方法 [P].

李筠 ;

李振铭 ;

柯忠廷 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN109860050A ,2019-06-07

[5]

固态半导体制作方法 [P].

黄世晟 ;

凃博闵 ;

杨顺贵 ;

黄嘉宏 .

中国专利 :CN102456777A ,2012-05-16

[6]

半导体制作方法及其制作装置 [P].

大谷久 ;

安达广树 .

中国专利 :CN1111400A ,1995-11-08

[7]

半导体制冷片与半导体制冷片制作方法 [P].

王旭飞 ;

陆建辉 .

中国专利 :CN118368963A ,2024-07-19

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

薛琬晴 ;

靳耀乐 ;

严翔 ;

闫晓晖 ;

丁丽真 ;

沈文杰 .

中国专利 :CN118571842A ,2024-08-30

[9]

半导体装置及其制作方法 [P].

王怡琇 ;

陈彦兆 ;

夏英庭 ;

江照平 ;

郑钧智 .

中国专利 :CN110021529A ,2019-07-16

[10]

半导体器件的制作方法 [P].

谢红梅 ;

刘煊杰 .

中国专利 :CN102820385B ,2012-12-12

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