半导体制作方法及其制作装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN94119374.8
申请日
1994-12-03
公开(公告)号
CN1111400A
公开(公告)日
1995-11-08
发明(设计)人
大谷久 安达广树
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L21322
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
谭明胜;杨丽琴
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体制作方法 [P]. 
沈荣亮 ;
颜松 ;
周舟 ;
阚保国 ;
陈伏宏 .
中国专利 :CN119943671A ,2025-05-06
[2]
半导体制作方法 [P]. 
J·C·尼斯特伦 ;
T·约翰松 .
中国专利 :CN1325544A ,2001-12-05
[3]
半导体制作方法 [P]. 
杨军 .
中国专利 :CN112542383B ,2021-03-23
[4]
半导体制作方法 [P]. 
李筠 ;
李振铭 ;
柯忠廷 ;
杨复凯 ;
王美匀 .
中国专利 :CN109860050A ,2019-06-07
[5]
半导体制作方法 [P]. 
何理 ;
巨晓华 ;
王奇伟 .
中国专利 :CN110854121A ,2020-02-28
[6]
固态半导体制作方法 [P]. 
黄世晟 ;
凃博闵 ;
杨顺贵 ;
黄嘉宏 .
中国专利 :CN102456777A ,2012-05-16
[7]
半导体制冷片及其制作方法 [P]. 
李永辉 ;
李俊俏 ;
周维 .
中国专利 :CN113809224A ,2021-12-17
[8]
半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P]. 
肖文静 ;
梅立波 ;
王欢 ;
肖亮 ;
潘震 ;
刘雅琴 .
中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28
[9]
半导体结构及其制作方法 [P]. 
陈逸男 ;
刘献文 ;
蔡子敬 .
中国专利 :CN101577243B ,2009-11-11
[10]
半导体元件及其制作方法 [P]. 
吴耀铨 ;
侯智元 ;
林其庆 ;
胡国仁 .
中国专利 :CN100539023C ,2008-06-04