固态半导体制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010513029.1

申请日：

2010-10-21

公开(公告)号：

CN102456777A

公开(公告)日：

2012-05-16

发明(设计)人：

黄世晟凃博闵杨顺贵黄嘉宏

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

C23C1634 C23C1602

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-16	公开	公开
2014-12-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101708441389 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010105130291 申请公布日:20120516
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101274712713 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010105130291 申请日:20101021

共 50 条

[1]

半导体制作方法 [P].

沈荣亮 ;

颜松 ;

周舟 ;

阚保国 ;

陈伏宏 .

中国专利 :CN119943671A ,2025-05-06

[2]

半导体制作方法 [P].

J·C·尼斯特伦 ;

T·约翰松 .

中国专利 :CN1325544A ,2001-12-05

[3]

半导体制作方法 [P].

杨军 .

中国专利 :CN112542383B ,2021-03-23

[4]

半导体制作方法 [P].

何理 ;

巨晓华 ;

王奇伟 .

中国专利 :CN110854121A ,2020-02-28

[5]

半导体制作方法 [P].

李筠 ;

李振铭 ;

柯忠廷 ;

杨复凯 ;

王美匀 .

中国专利 :CN109860050A ,2019-06-07

[6]

半导体制作方法及其制作装置 [P].

大谷久 ;

安达广树 .

中国专利 :CN1111400A ,1995-11-08

[7]

半导体制冷片与半导体制冷片制作方法 [P].

王旭飞 ;

陆建辉 .

中国专利 :CN118368963A ,2024-07-19

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈语同 ;

林建名 ;

许传进 ;

何志伟 ;

何彦仕 .

中国专利 :CN106129026A ,2016-11-16

[9]

半导体装置及其制作方法 [P].

林耿立 ;

林光明 ;

杜尚晖 ;

张睿钧 .

中国专利 :CN102142392B ,2011-08-03

[10]

半导体制冷片及其制作方法 [P].

李永辉 ;

李俊俏 ;

周维 .

中国专利 :CN113809224A ,2021-12-17

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