电流检测电路、半导体器件和半导体系统

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010191695.1
申请日
2020-03-18
公开(公告)号
CN111740729A
公开(公告)日
2020-10-02
发明(设计)人
木村圭助 田岛英幸 斋藤航
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H03K1716
IPC分类号
G01R1900
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
李辉
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
电流检测电路、半导体器件和半导体系统 [P]. 
木村圭助 ;
田岛英幸 ;
斋藤航 .
日本专利 :CN111740729B ,2025-11-21
[2]
电流检测电路、半导体器件和半导体系统 [P]. 
木村圭助 .
日本专利 :CN110196353B ,2024-08-09
[3]
电流检测电路、半导体器件和半导体系统 [P]. 
木村圭助 .
中国专利 :CN110196353A ,2019-09-03
[4]
半导体器件、半导体系统和控制系统 [P]. 
田岛英幸 .
日本专利 :CN110190737B ,2024-05-07
[5]
半导体器件、半导体系统和控制系统 [P]. 
田岛英幸 .
中国专利 :CN110190737A ,2019-08-30
[6]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
林雅兰 ;
宋镐旭 .
中国专利 :CN106057231B ,2016-10-26
[7]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
林本肇 ;
濑胁健司 .
日本专利 :CN120128155A ,2025-06-10
[8]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
森长也 .
中国专利 :CN109962743B ,2019-07-02
[9]
半导体器件的电流检测方法和半导体器件 [P]. 
相马治 ;
上村圣 ;
天田健嗣 .
中国专利 :CN106053929A ,2016-10-26
[10]
半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法 [P]. 
福冈一树 ;
植村俊文 ;
北地祐子 .
日本专利 :CN109428569B ,2024-03-26