气体传感器、使用其的集成电路器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111142749.6

申请日：

2015-11-13

公开(公告)号：

CN113884539A

公开(公告)日：

2022-01-04

发明(设计)人：

郑钧文朱家骅赖飞龙林详淇

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

G01N2700

IPC分类号：

B81B700 B81B702

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/00 申请日:20151113
2022-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

气体传感器、使用其的集成电路器件及其制造方法 [P].

郑钧文 ;

朱家骅 ;

赖飞龙 ;

林详淇 .

中国专利 :CN106324038A ,2017-01-11

[2]

集成电路、图像传感器的集成电路及其制造方法 [P].

许文义 ;

洪丰基 ;

杨敦年 ;

周耕宇 .

中国专利 :CN106876420A ,2017-06-20

[3]

包括气体传感器的集成电路 [P].

奥瑞利·休伯特 ;

罗埃尔·达门 ;

菲特·恩古耶恩 .

中国专利 :CN103364455B ,2013-10-23

[4]

具有传感器的集成电路和制造这种集成电路的方法 [P].

马蒂亚斯·梅兹 .

中国专利 :CN102915993B ,2013-02-06

[5]

制造传感器集成电路的方法及使用该方法制造的集成电路 [P].

赖建文 .

中国专利 :CN105675051A ,2016-06-15

[6]

传感器集成电路的制造方法及使用该方法制造的集成电路 [P].

赖建文 .

中国专利 :CN105742247B ,2016-07-06

[7]

集成电路传感器封装及其制造方法 [P].

伊格纳修斯·约瑟夫斯·范多梅伦 .

中国专利 :CN110023721A ,2019-07-16

[8]

磁阻传感器集成电路及其制造方法 [P].

朱忻 .

中国专利 :CN113759296A ,2021-12-07

[9]

包括光吸收层的图像传感器集成电路器件及其制造方法 [P].

李浚泽 ;

梁云弼 .

中国专利 :CN1716626A ,2006-01-04

[10]

集成电路器件和制造其的方法 [P].

李炳训 ;

罗勋奏 ;

徐圣仁 ;

宋珉宇 ;

李灿珩 ;

李厚容 ;

玄尚镇 .

中国专利 :CN109755299A ,2019-05-14

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