中性粒子束处理设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480034993.9

申请日：

2004-11-27

公开(公告)号：

CN1887035A

公开(公告)日：

2006-12-27

发明(设计)人：

李奉柱俞席在李学柱

申请人：

申请人地址：

韩国大田

IPC主分类号：

H05H306

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-03-04	授权	授权
2011-02-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101037106362 IPC(主分类):H05H 3/06 专利号:ZL2004800349939 申请日:20041127 授权公告日:20090304 终止日期:20091228
2006-12-27	公开	公开

共 50 条

[1]

中性粒子束光刻 [P].

李学柱 .

中国专利 :CN100429749C ,2006-03-29

[2]

产生中性粒子束的装置及方法 [P].

席峰 ;

李勇滔 ;

李楠 ;

张庆钊 ;

夏洋 .

中国专利 :CN102290314B ,2011-12-21

[3]

一种用于等离子刻蚀的中性粒子束产生装置 [P].

聂军伟 ;

陈庆川 ;

杨发展 ;

但敏 ;

刘克威 ;

金凡亚 ;

陈伦江 ;

祝土富 .

中国专利 :CN117542718A ,2024-02-09

[4]

用于带电粒子束系统的基板处理设备 [P].

T·张 .

中国专利 :CN100539002C ,2007-07-25

[5]

产生中性粒子束装置及方法 [P].

席峰 ;

李勇滔 ;

李楠 ;

张庆钊 ;

夏洋 .

中国专利 :CN102332384A ,2012-01-25

[6]

利用中性粒子束的发光元件制造方法及其装置 [P].

俞席在 ;

金圣凤 .

中国专利 :CN103460341A ,2013-12-18

[7]

粒子束的能量调节 [P].

G.T.兹瓦特 ;

K.P.高尔 ;

J.范德兰 ;

S.罗森塔尔 ;

M.巴斯基 ;

C.D.奥尼尔三世 ;

K.Y.弗兰岑 .

中国专利 :CN104812444B ,2015-07-29

[8]

利用粒子束的薄膜材料处理方法 [P].

乔纳森·吉罗德·英格兰 ;

拉杰许·都蕾 ;

卢多维克·葛特 .

中国专利 :CN101911250A ,2010-12-08

[9]

控制粒子束的强度 [P].

K.P.高尔 ;

G.T.兹瓦特 ;

J.范德兰 ;

A.C.莫尔灿 ;

C.D.奥尼尔三世 ;

T.C.索布齐恩斯基 ;

J.库利 .

中国专利 :CN104813749A ,2015-07-29

[10]

使用磁场颤振聚焦粒子束 [P].

G.T.兹瓦特 ;

K.P.高尔 ;

J.V.D.兰 ;

C.D.奥尼尔三世 ;

K.Y.弗兰岑 .

中国专利 :CN104813747A ,2015-07-29

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