利用中性粒子束的发光元件制造方法及其装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180069512.8

申请日：

2011-05-30

公开(公告)号：

CN103460341A

公开(公告)日：

2013-12-18

发明(设计)人：

俞席在金圣凤

申请人：

申请人地址：

韩国大田市

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

金玉兰;刘奕晴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20210317 变更事项:专利权人变更前权利人:韩国基础科学支援研究院变更后权利人:韩国核融合能源研究院变更事项:地址变更前权利人:韩国大田市变更后权利人:韩国大田广域市
2014-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101562728921 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011800695128 申请日:20110530
2016-03-02	授权	授权
2013-12-18	公开	公开

共 50 条

[1]

中性粒子束光刻 [P].

李学柱 .

中国专利 :CN100429749C ,2006-03-29

[2]

中性粒子束处理设备 [P].

李奉柱 ;

俞席在 ;

李学柱 .

中国专利 :CN1887035A ,2006-12-27

[3]

产生中性粒子束的装置及方法 [P].

席峰 ;

李勇滔 ;

李楠 ;

张庆钊 ;

夏洋 .

中国专利 :CN102290314B ,2011-12-21

[4]

发光元件及其制造方法 [P].

平山秀树 ;

秋田胜史 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN1585144A ,2005-02-23

[5]

发光元件及其制造方法 [P].

川上俊之 ;

川口佳伸 ;

神川刚 .

中国专利 :CN101453098B ,2009-06-10

[6]

发光元件和发光元件的制造方法 [P].

细川泰伸 .

中国专利 :CN113964245A ,2022-01-21

[7]

发光元件的制造方法及发光元件 [P].

北滨俊 ;

井上芳树 ;

永峰和浩 ;

成田准也 .

中国专利 :CN108206226B ,2018-06-26

[8]

发光元件及发光元件的制造方法 [P].

近藤宏树 .

中国专利 :CN113745377A ,2021-12-03

[9]

发光元件和该发光元件的制造方法 [P].

尺田幸男 .

中国专利 :CN101395727A ,2009-03-25

[10]

半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置 [P].

楠濑健 ;

坂本贵彦 .

中国专利 :CN100358163C ,2005-09-21

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