产生中性粒子束的装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110288064.2

申请日：

2011-09-26

公开(公告)号：

CN102290314B

公开(公告)日：

2011-12-21

发明(设计)人：

席峰李勇滔李楠张庆钊夏洋

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H05H300

代理机构：

北京华沛德权律师事务所 11302

代理人：

刘丽君

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01J 37/32 登记生效日:20180815 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:中科艾尔（北京）科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:101111 北京市经济技术开发区天华园二里二区19幢一层F1B9
2012-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101180925374 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:2011102880642 申请日:20110926
2011-12-21	公开	公开
2013-12-25	授权	授权
2022-07-08	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 登记号:Y2022980008766 登记生效日:20220623 出质人:中科艾尔（北京）科技有限公司质权人:北京亦庄国际融资担保有限公司发明名称:产生中性粒子束的装置及方法申请日:20110926 授权公告日:20131225

共 50 条

[1]

产生中性粒子束装置及方法 [P].

席峰 ;

李勇滔 ;

李楠 ;

张庆钊 ;

夏洋 .

中国专利 :CN102332384A ,2012-01-25

[2]

一种用于等离子刻蚀的中性粒子束产生装置 [P].

聂军伟 ;

陈庆川 ;

杨发展 ;

但敏 ;

刘克威 ;

金凡亚 ;

陈伦江 ;

祝土富 .

中国专利 :CN117542718A ,2024-02-09

[3]

中性粒子束光刻 [P].

李学柱 .

中国专利 :CN100429749C ,2006-03-29

[4]

中性粒子束处理设备 [P].

李奉柱 ;

俞席在 ;

李学柱 .

中国专利 :CN1887035A ,2006-12-27

[5]

利用中性粒子束的发光元件制造方法及其装置 [P].

俞席在 ;

金圣凤 .

中国专利 :CN103460341A ,2013-12-18

[6]

聚焦离子束系统及改进聚焦粒子束加工的方法 [P].

T.米勒 ;

S.克罗格 ;

S.张 ;

M.马佐斯 ;

A.格劳佩拉 .

中国专利 :CN103456588B ,2013-12-18

[7]

适用于负氢粒子束的中性化气体靶单元及系统设计方法 [P].

闫逸花 ;

王忠明 ;

王迪 ;

王茂成 ;

刘卧龙 ;

王敏文 ;

杨业 ;

吕伟 ;

陈伟 .

中国专利 :CN113498245B ,2024-03-12

[8]

适用于负氢粒子束的中性化气体靶单元及系统设计方法 [P].

闫逸花 ;

王忠明 ;

王迪 ;

王茂成 ;

刘卧龙 ;

王敏文 ;

杨业 ;

吕伟 ;

陈伟 .

中国专利 :CN113498245A ,2021-10-12

[9]

带电粒子束轨迹控制装置 [P].

何坚 .

中国专利 :CN103956311A ,2014-07-30

[10]

一种低能中性粒子束发生装置 [P].

张湧颀 ;

鄂鹏 ;

卢耀文 ;

王欢 .

中国专利 :CN118555724B ,2025-09-09

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