一种用于等离子刻蚀的中性粒子束产生装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311487217.5

申请日：

2023-11-09

公开(公告)号：

CN117542718A

公开(公告)日：

2024-02-09

发明(设计)人：

聂军伟陈庆川杨发展但敏刘克威金凡亚陈伦江祝土富

申请人：

核工业西南物理研究院

申请人地址：

610000 四川省成都市双流区西南航空港黄荆路5号

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/08

代理机构：

成都行之专利代理有限公司 51220

代理人：

杨文静

法律状态：

公开

国省代码：

四川省成都市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	公开	公开
2024-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/32申请日:20231109

共 50 条

[1]

产生中性粒子束的装置及方法 [P].

席峰 ;

李勇滔 ;

李楠 ;

张庆钊 ;

夏洋 .

中国专利 :CN102290314B ,2011-12-21

[2]

产生中性粒子束装置及方法 [P].

席峰 ;

李勇滔 ;

李楠 ;

张庆钊 ;

夏洋 .

中国专利 :CN102332384A ,2012-01-25

[3]

用于粒子束产生装置的靶材 [P].

刘渊豪 ;

林峻霆 .

中国专利 :CN115623652A ,2023-01-17

[4]

用于离子束照射装置的等离子体产生装置 [P].

滨本成显 ;

酒井滋树 .

中国专利 :CN1157756C ,2002-07-03

[5]

一种等离子刻蚀装置 [P].

胡振 ;

蔡源 .

中国专利 :CN223390493U ,2025-09-26

[6]

一种挡环装置、等离子刻蚀机刻蚀腔及等离子刻蚀机 [P].

郭颂 ;

刘小波 ;

陈兆超 ;

车东晨 ;

叶联 ;

刘磊 ;

刘海洋 ;

胡冬冬 ;

许开东 .

中国专利 :CN117352355A ,2024-01-05

[7]

一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置 [P].

李宛泽 ;

刘轩 ;

刘祖宏 .

中国专利 :CN106504971B ,2017-03-15

[8]

用于粒子束产生装置的靶材及其基材 [P].

刘渊豪 ;

林峻霆 .

中国专利 :CN218482994U ,2023-02-14

[9]

一种用于等离子刻蚀的夹持装置 [P].

陈正 ;

刘昭 ;

周亮亮 .

中国专利 :CN211045373U ,2020-07-17

[10]

一种用于等离子刻蚀的夹紧装置 [P].

苏竑森 ;

管士亚 .

中国专利 :CN220934008U ,2024-05-10

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