发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410057832.3

申请日：

2004-08-18

公开(公告)号：

CN1585144A

公开(公告)日：

2005-02-23

发明(设计)人：

平山秀树秋田胜史中村孝夫

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-08-03	授权	授权
2005-02-23	公开	公开
2013-10-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101526921940 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2004100578323 申请日:20040818 授权公告日:20110803 终止日期:20120818

共 50 条

[1]

发光元件及其制造方法 [P].

川上俊之 ;

川口佳伸 ;

神川刚 .

中国专利 :CN101453098B ,2009-06-10

[2]

发光元件及其制造方法 [P].

斋藤义树 .

中国专利 :CN110364597A ,2019-10-22

[3]

发光元件及其制造方法 [P].

奥野浩司 ;

五所野尾浩一 ;

大矢昌辉 .

日本专利 :CN118676275A ,2024-09-20

[4]

发光元件及其制造方法 [P].

松井慎一 ;

面家英树 ;

牧野浩明 ;

水谷浩一 .

日本专利 :CN118507620A ,2024-08-16

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

大塚康二 ;

佐藤雅裕 .

中国专利 :CN1622350A ,2005-06-01

[6]

发光元件和发光元件的制造方法 [P].

细川泰伸 .

中国专利 :CN113964245A ,2022-01-21

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长尾阳二 .

日本专利 :CN120391021A ,2025-07-29

[8]

发光元件的制造方法及发光元件 [P].

北滨俊 ;

井上芳树 ;

永峰和浩 ;

成田准也 .

中国专利 :CN108206226B ,2018-06-26

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

安杖尚美 ;

菅原岳 ;

长谷川義晃 ;

石桥明彦 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN101496236A ,2009-07-29

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

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