一种功率半导体器件的结温提取方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110134810.6

申请日：

2021-02-01

公开(公告)号：

CN113064042B

公开(公告)日：

2021-07-02

发明(设计)人：

刁利军刘博王磊刁利坚刘新博任家辉张艳

申请人：

申请人地址：

100044 北京市海淀区上园村3号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G06F30367

代理机构：

北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392

代理人：

张新利;谢建玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20210201
2021-07-02	公开	公开
2022-02-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体超结功率器件 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

袁愿林 ;

王睿 .

中国专利 :CN116137283B ,2025-09-12

[2]

半导体超结功率器件 [P].

王鹏飞 ;

缪进征 ;

王睿 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN121240495A ,2025-12-30

[3]

一种半导体超结功率器件 [P].

刘磊 ;

王鹏飞 ;

袁愿林 ;

龚轶 .

中国专利 :CN107123674A ,2017-09-01

[4]

便于结温检测的功率半导体器件及其结温测量方法 [P].

田鸿昌 ;

张弦 ;

何晓宁 ;

陈晓炜 .

中国专利 :CN112946450A ,2021-06-11

[5]

功率半导体器件的结温计算方法和结温计算装置 [P].

王俊波 ;

吴小平 ;

唐琪 ;

张殷 ;

李国伟 ;

李新 ;

梁年柏 ;

何思捷 ;

王智娇 ;

石俏 ;

曾烨 ;

曾庆辉 ;

陈贤熙 ;

陈邦发 .

中国专利 :CN118690639A ,2024-09-24

[6]

一种功率半导体器件的瞬态结温计算方法 [P].

郭亿东 ;

吴钦炜 ;

高昊宇 ;

刘弘耀 ;

陆熙 ;

毛赛君 .

中国专利 :CN118795305A ,2024-10-18

[7]

一种功率半导体器件结温预测方法及系统 [P].

陈忠 ;

杨为 ;

张宇娇 ;

祝琳 ;

段熙尧 ;

黄雄峰 ;

胡迪 .

中国专利 :CN118965842B ,2024-12-17

[8]

一种功率半导体器件结温预测方法及系统 [P].

陈忠 ;

杨为 ;

张宇娇 ;

祝琳 ;

段熙尧 ;

黄雄峰 ;

胡迪 .

中国专利 :CN118965842A ,2024-11-15

[9]

一种半导体功率器件在线实时结温检测方法 [P].

刘冠甫 ;

杨昌 ;

周聪哲 ;

张井超 .

中国专利 :CN119556087A ,2025-03-04

[10]

超结功率半导体器件和用于制造超结功率半导体器件的方法 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120167136A ,2025-06-17

← 1 2 3 4 5 →