适用于35GHz交流频率下工作的GaN整流器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711351659.1

申请日：

2017-12-15

公开(公告)号：

CN108172573B

公开(公告)日：

2018-06-15

发明(设计)人：

王文樑李国强李筱婵李媛

申请人：

申请人地址：

511458 广东省广州市南沙区环市大道南路25号华工大广州产研院

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2910 H01L2920 H01L21328

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/04 申请日:20171215
2018-06-15	公开	公开
2020-04-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

江弘胜 ;

肖一鸣 ;

董文浩 .

中国专利 :CN213401214U ,2021-06-08

[2]

一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

江弘胜 ;

肖一鸣 ;

董文浩 .

中国专利 :CN114156346A ,2022-03-08

[3]

N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 ;

李林浩 ;

张景鸿 .

中国专利 :CN114242782A ,2022-03-25

[4]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657A ,2022-08-05

[5]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657B ,2025-06-17

[6]

一种基于Cu衬底基GaN整流器及其制备方法 [P].

李国强 ;

胡智凯 ;

王文樑 ;

唐鑫 .

中国专利 :CN111009467B ,2020-04-14

[7]

一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

孔德麒 ;

邢志恒 .

中国专利 :CN111430457B ,2024-10-01

[8]

一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

孔德麒 ;

邢志恒 .

中国专利 :CN111430457A ,2020-07-17

[9]

用于运行整流器的方法以及根据该方法工作的整流器 [P].

谷琼 ;

霍格尔·霍夫曼 ;

托马斯·斯拉维克 .

中国专利 :CN109715432A ,2019-05-03

[10]

一种石墨烯辅助GaN整流器及其制备方法 [P].

李国强 ;

李筱婵 .

中国专利 :CN109873031B ,2024-08-02

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