一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010346191.2

申请日：

2020-04-27

公开(公告)号：

CN111430457A

公开(公告)日：

2020-07-17

发明(设计)人：

王文樑李国强杨昱辉孔德麒邢志恒

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L2945 H01L2947 H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍;冯振宁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-17	公开	公开
2020-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200427

共 50 条

[1]

一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

孔德麒 ;

邢志恒 .

中国专利 :CN212010980U ,2020-11-24

[2]

一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

孔德麒 ;

邢志恒 .

中国专利 :CN111430457B ,2024-10-01

[3]

一种基于Cu衬底基GaN整流器及其制备方法 [P].

李国强 ;

胡智凯 ;

王文樑 ;

唐鑫 .

中国专利 :CN111009467B ,2020-04-14

[4]

一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

李筱婵 ;

李媛 .

中国专利 :CN108010956B ,2018-05-08

[5]

一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

李筱婵 ;

李媛 .

中国专利 :CN207925473U ,2018-09-28

[6]

金刚石衬底上的AlN/GaN/ScAlN/GaN双沟道异质结及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

王若冰 ;

许文强 ;

赵颖 ;

张金风 ;

张雅超 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113193040A ,2021-07-30

[7]

基于AlN衬底上AlN缓冲层的异质结HEMT器件及制备方法 [P].

周弘 ;

张超群 ;

胡超杰 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119562556A ,2025-03-04

[8]

N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 ;

李林浩 ;

张景鸿 .

中国专利 :CN114242782A ,2022-03-25

[9]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657A ,2022-08-05

[10]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657B ,2025-06-17

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