一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721781485.8

申请日：

2017-12-19

公开(公告)号：

CN207925473U

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

王文樑李国强李筱婵李媛

申请人：

申请人地址：

511458 广东省广州市南沙区环市大道南路25号华工大广州产研院

IPC主分类号：

H01L2904

IPC分类号：

H01L2906 H01L29861 H01L21329

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-16	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权 IPC(主分类):H01L 29/04 申请日:20171219 授权公告日:20180928 放弃生效日:20190716
2018-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

李筱婵 ;

李媛 .

中国专利 :CN108010956B ,2018-05-08

[2]

一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

孔德麒 ;

邢志恒 .

中国专利 :CN212010980U ,2020-11-24

[3]

一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

孔德麒 ;

邢志恒 .

中国专利 :CN111430457B ,2024-10-01

[4]

一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

孔德麒 ;

邢志恒 .

中国专利 :CN111430457A ,2020-07-17

[5]

N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 ;

李林浩 ;

张景鸿 .

中国专利 :CN114242782A ,2022-03-25

[6]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657A ,2022-08-05

[7]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657B ,2025-06-17

[8]

一种高频整流器 [P].

王琴 ;

徐祖平 ;

尹俊 ;

王永军 .

中国专利 :CN209748424U ,2019-12-06

[9]

一种高频整流器 [P].

高港 .

中国专利 :CN216819723U ,2022-06-24

[10]

一种N极性AlN/GaN外延结构及其制备方法 [P].

林凡 ;

倪健 ;

许翔 ;

张高俊 ;

周均铭 .

中国专利 :CN119653801A ,2025-03-18

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