化合物半导体霍尔元件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110900744.9

申请日：

2021-08-06

公开(公告)号：

CN113629184A

公开(公告)日：

2021-11-09

发明(设计)人：

何渊

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技大道科技园D栋矩阵光电

IPC主分类号：

H01L4306

IPC分类号：

H01L4304 H01L4314

代理机构：

北京毕科锐森知识产权代理事务所(普通合伙) 11877

代理人：

陶涛;王璐璐

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	公开	公开
2021-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/06 申请日:20210806

共 50 条

[1]

化合物半导体霍尔元件及其制备方法 [P].

何渊 .

中国专利 :CN113629184B ,2024-08-23

[2]

化合物半导体霍尔元件 [P].

胡双元 ;

朱忻 .

中国专利 :CN113241403A ,2021-08-10

[3]

制造化合物半导体霍尔元件的方法 [P].

胡双元 ;

朱忻 .

中国专利 :CN113299824A ,2021-08-24

[4]

一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件及其制备方法 [P].

朱忻 ;

胡双元 .

中国专利 :CN104377301A ,2015-02-25

[5]

一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件 [P].

胡双元 ;

黄勇 ;

朱忻 .

中国专利 :CN205004354U ,2016-01-27

[6]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

[7]

化合物半导体及其制备方法 [P].

李载骑 ;

金兑训 ;

朴哲熙 .

中国专利 :CN106796980A ,2017-05-31

[8]

新型半导体化合物及其制备方法以及使用该半导体化合物的热电元件 [P].

朴哲凞 ;

孙世姬 ;

权元锺 ;

金兑训 ;

洪承泰 .

中国专利 :CN101977846A ,2011-02-16

[9]

化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

口野启史 ;

八木克己 .

中国专利 :CN1618133A ,2005-05-18

[10]

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体及其制备方法 [P].

佐佐木诚 ;

高田朋幸 .

中国专利 :CN101027787A ,2007-08-29

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