一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410676818.5

申请日：

2014-11-24

公开(公告)号：

CN104377301A

公开(公告)日：

2015-02-25

发明(设计)人：

朱忻胡双元

申请人：

申请人地址：

215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园D栋苏州矩阵光电有限公司法务部

IPC主分类号：

H01L4306

IPC分类号：

H01L4314 H01L21683

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101602525210 IPC(主分类):H01L 43/06 专利申请号:2014106768185 申请日:20141124
2015-02-25	公开	公开
2017-08-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101757514651 IPC(主分类):H01L 43/06 专利申请号:2014106768185 申请公布日:20150225

共 50 条

[1]

一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件 [P].

胡双元 ;

黄勇 ;

朱忻 .

中国专利 :CN205004354U ,2016-01-27

[2]

化合物半导体霍尔元件及其制备方法 [P].

何渊 .

中国专利 :CN113629184B ,2024-08-23

[3]

化合物半导体霍尔元件及其制备方法 [P].

何渊 .

中国专利 :CN113629184A ,2021-11-09

[4]

化合物半导体霍尔元件 [P].

胡双元 ;

朱忻 .

中国专利 :CN113241403A ,2021-08-10

[5]

制造化合物半导体霍尔元件的方法 [P].

胡双元 ;

朱忻 .

中国专利 :CN113299824A ,2021-08-24

[6]

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体及其制备方法 [P].

佐佐木诚 ;

高田朋幸 .

中国专利 :CN101027787A ,2007-08-29

[7]

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本健作 .

中国专利 :CN100472826C ,2006-05-10

[8]

制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法和系统及Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体 [P].

片峰俊尚 ;

家近泰 ;

高田朋幸 ;

土田良彦 ;

清水诚也 .

中国专利 :CN1387233A ,2002-12-25

[9]

Ⅲ族氮化物化合物半导体元件及其制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法和灯 [P].

加治亘章 ;

横山泰典 ;

酒井浩光 .

中国专利 :CN101578715A ,2009-11-11

[10]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

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