制造化合物半导体霍尔元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110559624.7

申请日：

2021-05-21

公开(公告)号：

CN113299824A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

胡双元朱忻

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技大道科技园D栋矩阵光电

IPC主分类号：

H01L4314

IPC分类号：

H01L4306 H01L4304

代理机构：

北京毕科锐森知识产权代理事务所(普通合伙) 11877

代理人：

王静;王家毅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-24	公开	公开
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/14 申请日:20210521

共 50 条

[1]

化合物半导体霍尔元件 [P].

胡双元 ;

朱忻 .

中国专利 :CN113241403A ,2021-08-10

[2]

化合物半导体霍尔元件及其制备方法 [P].

何渊 .

中国专利 :CN113629184B ,2024-08-23

[3]

化合物半导体霍尔元件及其制备方法 [P].

何渊 .

中国专利 :CN113629184A ,2021-11-09

[4]

一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件 [P].

胡双元 ;

黄勇 ;

朱忻 .

中国专利 :CN205004354U ,2016-01-27

[5]

制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法 [P].

里泰雄 ;

日野智公 ;

成井启修 .

中国专利 :CN1670917A ,2005-09-21

[6]

制造化合物半导体器件的方法 [P].

美浓浦优一 ;

冈本直哉 ;

吉川俊英 ;

牧山刚三 ;

多木俊裕 .

中国专利 :CN103035522A ,2013-04-10

[7]

化合物半导体装置与制造化合物半导体装置的方法 [P].

岩男昭人 ;

本山理一 .

中国专利 :CN114902424A ,2022-08-12

[8]

一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件及其制备方法 [P].

朱忻 ;

胡双元 .

中国专利 :CN104377301A ,2015-02-25

[9]

化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法 [P].

宫岛丰生 ;

今西健治 ;

山田敦史 ;

中村哲一 .

中国专利 :CN103035696B ,2013-04-10

[10]

化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

谷本佳美 ;

园田孝德 .

中国专利 :CN102447022A ,2012-05-09

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