化合物半导体发光元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110293601.2

申请日：

2011-09-29

公开(公告)号：

CN102447022A

公开(公告)日：

2012-05-09

发明(设计)人：

谷本佳美园田孝德

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3342

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

封新琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-09	公开	公开
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101271725659 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011102936012 申请日:20110929
2015-08-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101719023438 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011102936012 申请公布日:20120509

共 50 条

[1]

化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

谷本佳美 ;

园田孝德 ;

池田英明 .

中国专利 :CN102859725B ,2013-01-02

[2]

化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

罗伯特·大卫·阿米蒂奇 .

中国专利 :CN102047450B ,2011-05-04

[3]

化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

罗伯特·大卫·阿米蒂奇 .

中国专利 :CN101971369B ,2011-02-09

[4]

化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

口野启史 ;

八木克己 .

中国专利 :CN1618133A ,2005-05-18

[5]

化合物半导体发光元件和其制造方法 [P].

福永修大 ;

篠原裕直 .

中国专利 :CN101523626B ,2009-09-02

[6]

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本健作 .

中国专利 :CN100472826C ,2006-05-10

[7]

发光元件的制造方法、化合物半导体晶圆及发光元件 [P].

久米史高 ;

筱原政幸 .

中国专利 :CN101410996A ,2009-04-15

[8]

氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

三木久幸 .

中国专利 :CN101573804A ,2009-11-04

[9]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯 [P].

福永修大 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101427390B ,2009-05-06

[10]

半导体发光元件、该半导体发光元件的制造方法以及使用该半导体发光元件的灯 [P].

中山德行 ;

阿部能之 .

中国专利 :CN101960625B ,2011-01-26

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