化合物半导体发光元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180019633.1

申请日：

2011-02-18

公开(公告)号：

CN102859725B

公开(公告)日：

2013-01-02

发明(设计)人：

谷本佳美园田孝德池田英明

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3336

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

岳雪兰

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/36 申请日:20110218 授权公告日:20160413 终止日期:20220218
2013-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101395924603 IPC(主分类):H01L 33/36 专利申请号:2011800196331 申请日:20110218
2016-04-13	授权	授权
2013-01-02	公开	公开

共 50 条

[1]

化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

谷本佳美 ;

园田孝德 .

中国专利 :CN102447022A ,2012-05-09

[2]

化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

口野启史 ;

八木克己 .

中国专利 :CN1618133A ,2005-05-18

[3]

Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯 [P].

三木久幸 ;

塙健三 ;

佐佐木保正 .

中国专利 :CN101506946B ,2009-08-12

[4]

化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

罗伯特·大卫·阿米蒂奇 .

中国专利 :CN102047450B ,2011-05-04

[5]

化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

罗伯特·大卫·阿米蒂奇 .

中国专利 :CN101971369B ,2011-02-09

[6]

氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

幡俊雄 .

中国专利 :CN1719634A ,2006-01-11

[7]

Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯 [P].

横山泰典 ;

酒井浩光 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101517759A ,2009-08-26

[8]

Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

斋藤义树 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101853909A ,2010-10-06

[9]

化合物半导体发光元件和其制造方法 [P].

福永修大 ;

篠原裕直 .

中国专利 :CN101523626B ,2009-09-02

[10]

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本健作 .

中国专利 :CN100472826C ,2006-05-10

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