化合物半导体发光元件和其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780038051.1

申请日：

2007-12-06

公开(公告)号：

CN101523626B

公开(公告)日：

2009-09-02

发明(设计)人：

福永修大篠原裕直

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;陈海红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-09-19	授权	授权
2009-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

罗伯特·大卫·阿米蒂奇 .

中国专利 :CN102047450B ,2011-05-04

[2]

化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

罗伯特·大卫·阿米蒂奇 .

中国专利 :CN101971369B ,2011-02-09

[3]

氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

三木久幸 .

中国专利 :CN101573804A ,2009-11-04

[4]

化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

口野启史 ;

八木克己 .

中国专利 :CN1618133A ,2005-05-18

[5]

化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

谷本佳美 ;

园田孝德 .

中国专利 :CN102447022A ,2012-05-09

[6]

Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯 [P].

横山泰典 ;

酒井浩光 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101517759A ,2009-08-26

[7]

化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

谷本佳美 ;

园田孝德 ;

池田英明 .

中国专利 :CN102859725B ,2013-01-02

[8]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯 [P].

福永修大 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101427390B ,2009-05-06

[9]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该发光元件的灯 [P].

篠原裕直 ;

村木典孝 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101405879B ,2009-04-08

[10]

一种化合物半导体发光元件 [P].

郑锦坚 ;

李水清 ;

蓝家彬 ;

张江勇 ;

李晓琴 ;

刘紫涵 ;

王星河 .

中国专利 :CN117637940A ,2024-03-01

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