一种化合物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311460951.2

申请日：

2023-11-06

公开(公告)号：

CN117637940A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

郑锦坚李水清蓝家彬张江勇李晓琴刘紫涵王星河

申请人：

安徽格恩半导体有限公司

申请人地址：

237161 安徽省六安市金安区巢湖路288号

IPC主分类号：

H01L33/06

IPC分类号：

代理机构：

北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955

代理人：

戴丽伟

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省六安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/06申请日:20231106

共 50 条

[1]

化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

罗伯特·大卫·阿米蒂奇 .

中国专利 :CN102047450B ,2011-05-04

[2]

化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

罗伯特·大卫·阿米蒂奇 .

中国专利 :CN101971369B ,2011-02-09

[3]

氮化镓系化合物半导体发光元件 [P].

村木典孝 ;

篠原裕直 .

中国专利 :CN101331617A ,2008-12-24

[4]

化合物半导体发光元件和其制造方法 [P].

福永修大 ;

篠原裕直 .

中国专利 :CN101523626B ,2009-09-02

[5]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该发光元件的灯 [P].

篠原裕直 ;

村木典孝 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101405879B ,2009-04-08

[6]

Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯 [P].

横山泰典 ;

酒井浩光 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101517759A ,2009-08-26

[7]

氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

三木久幸 .

中国专利 :CN101573804A ,2009-11-04

[8]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯 [P].

福永修大 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101427390B ,2009-05-06

[9]

化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

口野启史 ;

八木克己 .

中国专利 :CN1618133A ,2005-05-18

[10]

化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

谷本佳美 ;

园田孝德 .

中国专利 :CN102447022A ,2012-05-09

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