化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980108846.4

申请日：

2009-03-13

公开(公告)号：

CN101971369B

公开(公告)日：

2011-02-09

发明(设计)人：

罗伯特·大卫·阿米蒂奇

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府门真市大字门真1006番地

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

上海市华诚律师事务所 31210

代理人：

吕静姝;杨暄

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059707524 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009801088464 申请日:20090313
2012-05-23	授权	授权
2012-04-25	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101336128459 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009801088464 变更事项:申请人变更前权利人:松下电工株式会社变更后权利人:松下电器产业株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本国大阪府变更后权利人:日本国大阪府门真市大字门真1006番地登记生效日:20120315
2018-03-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20090313 授权公告日:20120523 终止日期:20170313
2011-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

罗伯特·大卫·阿米蒂奇 .

中国专利 :CN102047450B ,2011-05-04

[2]

化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

谷本佳美 ;

园田孝德 .

中国专利 :CN102447022A ,2012-05-09

[3]

化合物半导体发光元件的制造方法 [P].

谷本佳美 ;

园田孝德 ;

池田英明 .

中国专利 :CN102859725B ,2013-01-02

[4]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该发光元件的灯 [P].

篠原裕直 ;

村木典孝 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101405879B ,2009-04-08

[5]

化合物半导体发光元件和其制造方法 [P].

福永修大 ;

篠原裕直 .

中国专利 :CN101523626B ,2009-09-02

[6]

化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

口野启史 ;

八木克己 .

中国专利 :CN1618133A ,2005-05-18

[7]

一种化合物半导体发光元件 [P].

郑锦坚 ;

李水清 ;

蓝家彬 ;

张江勇 ;

李晓琴 ;

刘紫涵 ;

王星河 .

中国专利 :CN117637940A ,2024-03-01

[8]

氮化镓系化合物半导体发光元件 [P].

村木典孝 ;

篠原裕直 .

中国专利 :CN101331617A ,2008-12-24

[9]

氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯 [P].

福永修大 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101427390B ,2009-05-06

[10]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

← 1 2 3 4 5 →