一种高密度金属靶材制备工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911377170.0
申请日
2019-12-27
公开(公告)号
CN111004993A
公开(公告)日
2020-04-14
发明(设计)人
蔺裕平 韩刚库
申请人
申请人地址
214437 江苏省无锡市江阴市高新区金山路201号
IPC主分类号
C23C4134
IPC分类号
C23C406
代理机构
北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638
代理人
王凯
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高密度金属靶材制备系统 [P]. 
蔺裕平 ;
韩刚库 .
中国专利 :CN211645367U ,2020-10-09
[2]
一种低真空氛围靶材制备工艺 [P]. 
蔺裕平 ;
韩刚库 .
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[3]
一种超高密度的ITO靶材制备工艺 [P]. 
曾墩风 ;
张兵 ;
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[4]
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[5]
一种低色差高密度的IZO靶材制备工艺 [P]. 
曾墩风 ;
王志强 ;
鄢波 ;
曾探 .
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[6]
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[7]
一种高纯、高密度GaTe靶材的制备方法 [P]. 
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[8]
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[9]
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[10]
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