一种高密度靶材及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311197644.X

申请日：

2023-09-15

公开(公告)号：

CN117209257B

公开(公告)日：

2025-11-28

发明(设计)人：

罗斯诗李开杰邵学亮顾德盛张兴宇

申请人：

先导薄膜材料（广东）有限公司

申请人地址：

511500 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区

IPC主分类号：

C04B35/01

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/638 C23C14/08 C23C14/34

代理机构：

清远市诺誉知识产权代理事务所(普通合伙) 44815

代理人：

黄迅

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高密度金属靶材制备工艺 [P].

蔺裕平 ;

韩刚库 .

中国专利 :CN111004993A ,2020-04-14

[2]

高密度芯片封装结构及其制备方法 [P].

徐玉鹏 ;

钟磊 ;

李利 ;

何正鸿 .

中国专利 :CN120376433B ,2025-09-30

[3]

高密度芯片封装结构及其制备方法 [P].

徐玉鹏 ;

钟磊 ;

李利 ;

何正鸿 .

中国专利 :CN120376433A ,2025-07-25

[4]

一种木材基高密度固态电极及其制备方法 [P].

王兵 ;

钟林新 ;

陈泽虹 ;

杨武 .

中国专利 :CN115101356A ,2022-09-23

[5]

一种高密度铜钨合金构件的制备方法 [P].

陈卫东 ;

董智超 ;

张龙江 ;

杨正学 ;

李婷 .

中国专利 :CN120243941A ,2025-07-04

[6]

辐射低交联高密度聚乙烯及其制备方法 [P].

胡志杰 ;

田继利 ;

王谋华 ;

宝琦 ;

田秋实 ;

李迎 ;

杨嘉仪 .

中国专利 :CN121108536A ,2025-12-12

[7]

一种基于CMOS工艺的高密度自整流器件及其制备方法 [P].

张亦舒 ;

王字健 ;

张国滨 ;

凡雪蒙 .

中国专利 :CN119173131A ,2024-12-20

[8]

一种氧化锡靶材及其制备方法 [P].

李开杰 ;

罗斯诗 ;

顾德盛 ;

张兴宇 ;

王奇峰 .

中国专利 :CN119162546A ,2024-12-20

[9]

一种氧化锡靶材及其制备方法 [P].

李开杰 ;

罗斯诗 ;

顾德盛 ;

张兴宇 ;

王奇峰 .

中国专利 :CN119162546B ,2025-10-17

[10]

一种高密度的SiC MOSFET结构及其制备工艺 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN119907274A ,2025-04-29

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