半导体器件的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010734076.2
申请日
2020-07-24
公开(公告)号
CN111681961A
公开(公告)日
2020-09-18
发明(设计)人
陈宏
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
曹廷廷
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的制造方法 [P]. 
陈宏 .
中国专利 :CN111681961B ,2024-02-02
[2]
半导体器件的制造方法 [P]. 
韩秋华 ;
张世谋 .
中国专利 :CN101197290A ,2008-06-11
[3]
半导体器件的制造方法 [P]. 
魏莹璐 ;
何学缅 .
中国专利 :CN100590815C ,2009-01-28
[4]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
清水达雄 ;
山口豪 ;
西川幸江 .
中国专利 :CN1677691A ,2005-10-05
[5]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
塚本惠介 ;
三原龙善 .
中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13
[6]
一种半导体器件的制造方法 [P]. 
王新鹏 .
中国专利 :CN104347485A ,2015-02-11
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
吴汉明 ;
宁先捷 .
中国专利 :CN100449784C ,2008-02-13
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
宁先捷 .
中国专利 :CN101197323A ,2008-06-11
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
张海洋 ;
韩秋华 ;
杜珊珊 ;
韩宝东 .
中国专利 :CN101197285A ,2008-06-11
[10]
半导体器件的制造方法 [P]. 
吴金刚 ;
高关且 ;
高大为 ;
罗飞 .
中国专利 :CN101079376A ,2007-11-28