一种高密度存储芯片封装结构

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申请号
CN202122518730.9
申请日
2021-10-19
公开(公告)号
CN216301915U
公开(公告)日
2022-04-15
发明(设计)人
刘伯阳
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道138工业区景强路6号
IPC主分类号
B65D2510
IPC分类号
B65D2524 B65D8586 B65D5500
代理机构
广东奥益专利代理事务所(普通合伙) 44842
代理人
何国涛
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高密度存储芯片封装结构 [P]. 
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[4]
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方东 ;
温李周 .
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[5]
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黄旭彪 ;
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[6]
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[7]
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[9]
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[10]
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