具有金属可编程拐点频率的去耦电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780072044.7

申请日：

2017-09-28

公开(公告)号：

CN110024122B

公开(公告)日：

2019-07-16

发明(设计)人：

赵安迪 R·维兰谷迪皮查 D·库玛

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L23522 H01L2706 H01L2994

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;崔卿虎

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20170928
2020-06-12	授权	授权
2019-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

封装可编程去耦电容器阵列 [P].

瑞驰·泰克 ;

阿尔弗雷德·杨 ;

爱普·兰伯特 ;

杰瑞米·普伦凯特 .

中国专利 :CN108292643A ,2018-07-17

[2]

去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路 [P].

张现聚 ;

苏志强 ;

丁冲 .

中国专利 :CN103247697B ,2013-08-14

[3]

具有内在去耦电容器的单元架构 [P].

H·钦塔拉帕里·雷迪 ;

J·霍兰 ;

S·穆罕默德 .

中国专利 :CN110945655A ,2020-03-31

[4]

去耦电容器和布置 [P].

S·E·布-加扎利 ;

R·T·埃尔赛义德 ;

N·戈埃尔 .

中国专利 :CN106415838A ,2017-02-15

[5]

去耦电容器和布置 [P].

S·E·布-加扎利 ;

R·T·埃尔赛义德 ;

N·戈埃尔 .

中国专利 :CN111816654A ,2020-10-23

[6]

去耦电容器和布置 [P].

S·E·布-加扎利 ;

R·T·埃尔赛义德 ;

N·戈埃尔 .

中国专利 :CN114613755A ,2022-06-10

[7]

可编程开关电容器块 [P].

易许华尔·堤亚加拉根 ;

哈洛尔德·库兹 ;

加斯卡恩·约哈尔 ;

艾尔翰·汉哲奥卢 ;

汉斯·克莱恩 ;

布鲁斯·拜凯特 ;

马克·哈斯丁司 ;

丹尼斯·赛圭尼 ;

肯德尔·卡斯特-佩里 ;

蒙特·马尔 ;

加金德·罗希拉 .

中国专利 :CN106134077B ,2016-11-16

[8]

可编程的熔融石英标准电容器 [P].

杨雁 ;

贺青 ;

赵建亭 ;

黄璐 ;

鲁云峰 .

中国专利 :CN108183027B ,2018-06-19

[9]

去耦电容器架构 [P].

K·K·坎萨格拉 ;

M·钱德拉奈卡 ;

A·古普塔 ;

K·梅迪塞蒂 ;

A·阿拉姆 .

美国专利 :CN119836853A ,2025-04-15

[10]

去耦FINFET电容器 [P].

陈重辉 .

中国专利 :CN103227210B ,2013-07-31

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