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封装可编程去耦电容器阵列
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201680063584.4
申请日
:
2016-08-26
公开(公告)号
:
CN108292643A
公开(公告)日
:
2018-07-17
发明(设计)人
:
瑞驰·泰克
阿尔弗雷德·杨
爱普·兰伯特
杰瑞米·普伦凯特
申请人
:
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
H01L23522
IPC分类号
:
H01L2350
代理机构
:
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人
:
李少丹;许伟群
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-06-12
授权
授权
2018-08-10
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20160826
2018-07-17
公开
公开
共 50 条
[1]
具有金属可编程拐点频率的去耦电容器
[P].
赵安迪
论文数:
0
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0
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赵安迪
;
R·维兰谷迪皮查
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0
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R·维兰谷迪皮查
;
D·库玛
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0
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0
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D·库玛
.
中国专利
:CN110024122B
,2019-07-16
[2]
包括去耦电容器的半导体封装
[P].
李在薰
论文数:
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李在薰
;
赵亨皓
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赵亨皓
.
中国专利
:CN113540057A
,2021-10-22
[3]
包括去耦电容器的半导体封装
[P].
李在薰
论文数:
0
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李在薰
;
赵亨皓
论文数:
0
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
赵亨皓
.
韩国专利
:CN113540057B
,2025-01-03
[4]
去耦电容器和布置
[P].
S·E·布-加扎利
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S·E·布-加扎利
;
R·T·埃尔赛义德
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R·T·埃尔赛义德
;
N·戈埃尔
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N·戈埃尔
.
中国专利
:CN106415838A
,2017-02-15
[5]
去耦电容器和布置
[P].
S·E·布-加扎利
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S·E·布-加扎利
;
R·T·埃尔赛义德
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R·T·埃尔赛义德
;
N·戈埃尔
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N·戈埃尔
.
中国专利
:CN111816654A
,2020-10-23
[6]
去耦电容器和布置
[P].
S·E·布-加扎利
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S·E·布-加扎利
;
R·T·埃尔赛义德
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R·T·埃尔赛义德
;
N·戈埃尔
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N·戈埃尔
.
中国专利
:CN114613755A
,2022-06-10
[7]
可编程开关电容器块
[P].
易许华尔·堤亚加拉根
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易许华尔·堤亚加拉根
;
哈洛尔德·库兹
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哈洛尔德·库兹
;
加斯卡恩·约哈尔
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加斯卡恩·约哈尔
;
艾尔翰·汉哲奥卢
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艾尔翰·汉哲奥卢
;
汉斯·克莱恩
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汉斯·克莱恩
;
布鲁斯·拜凯特
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布鲁斯·拜凯特
;
马克·哈斯丁司
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马克·哈斯丁司
;
丹尼斯·赛圭尼
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0
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丹尼斯·赛圭尼
;
肯德尔·卡斯特-佩里
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肯德尔·卡斯特-佩里
;
蒙特·马尔
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蒙特·马尔
;
加金德·罗希拉
论文数:
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加金德·罗希拉
.
中国专利
:CN106134077B
,2016-11-16
[8]
去耦电容器架构
[P].
K·K·坎萨格拉
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0
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
K·K·坎萨格拉
;
M·钱德拉奈卡
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
M·钱德拉奈卡
;
A·古普塔
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
A·古普塔
;
K·梅迪塞蒂
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
K·梅迪塞蒂
;
A·阿拉姆
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机构:
高通股份有限公司
高通股份有限公司
A·阿拉姆
.
美国专利
:CN119836853A
,2025-04-15
[9]
去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路
[P].
张现聚
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张现聚
;
苏志强
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苏志强
;
丁冲
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丁冲
.
中国专利
:CN103247697B
,2013-08-14
[10]
集成电路去耦电容器
[P].
I·拉希姆
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I·拉希姆
;
W·B·维斯特
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W·B·维斯特
;
M·W·王
论文数:
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M·W·王
.
中国专利
:CN101753008B
,2010-06-23
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