封装可编程去耦电容器阵列

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201680063584.4
申请日
2016-08-26
公开(公告)号
CN108292643A
公开(公告)日
2018-07-17
发明(设计)人
瑞驰·泰克 阿尔弗雷德·杨 爱普·兰伯特 杰瑞米·普伦凯特
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01L23522
IPC分类号
H01L2350
代理机构
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
代理人
李少丹;许伟群
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
具有金属可编程拐点频率的去耦电容器 [P]. 
赵安迪 ;
R·维兰谷迪皮查 ;
D·库玛 .
中国专利 :CN110024122B ,2019-07-16
[2]
包括去耦电容器的半导体封装 [P]. 
李在薰 ;
赵亨皓 .
中国专利 :CN113540057A ,2021-10-22
[3]
包括去耦电容器的半导体封装 [P]. 
李在薰 ;
赵亨皓 .
韩国专利 :CN113540057B ,2025-01-03
[4]
去耦电容器和布置 [P]. 
S·E·布-加扎利 ;
R·T·埃尔赛义德 ;
N·戈埃尔 .
中国专利 :CN106415838A ,2017-02-15
[5]
去耦电容器和布置 [P]. 
S·E·布-加扎利 ;
R·T·埃尔赛义德 ;
N·戈埃尔 .
中国专利 :CN111816654A ,2020-10-23
[6]
去耦电容器和布置 [P]. 
S·E·布-加扎利 ;
R·T·埃尔赛义德 ;
N·戈埃尔 .
中国专利 :CN114613755A ,2022-06-10
[7]
可编程开关电容器块 [P]. 
易许华尔·堤亚加拉根 ;
哈洛尔德·库兹 ;
加斯卡恩·约哈尔 ;
艾尔翰·汉哲奥卢 ;
汉斯·克莱恩 ;
布鲁斯·拜凯特 ;
马克·哈斯丁司 ;
丹尼斯·赛圭尼 ;
肯德尔·卡斯特-佩里 ;
蒙特·马尔 ;
加金德·罗希拉 .
中国专利 :CN106134077B ,2016-11-16
[8]
去耦电容器架构 [P]. 
K·K·坎萨格拉 ;
M·钱德拉奈卡 ;
A·古普塔 ;
K·梅迪塞蒂 ;
A·阿拉姆 .
美国专利 :CN119836853A ,2025-04-15
[9]
去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路 [P]. 
张现聚 ;
苏志强 ;
丁冲 .
中国专利 :CN103247697B ,2013-08-14
[10]
集成电路去耦电容器 [P]. 
I·拉希姆 ;
W·B·维斯特 ;
M·W·王 .
中国专利 :CN101753008B ,2010-06-23