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去耦电容器架构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380063822.1
申请日：
2023-07-07
公开(公告)号：
CN119836853A
公开(公告)日：
2025-04-15
发明(设计)人：
K·K·坎萨格拉 M·钱德拉奈卡 A·古普塔 K·梅迪塞蒂 A·阿拉姆
申请人：
高通股份有限公司
申请人地址：
美国加利福尼亚
IPC主分类号：
H10D1/66
IPC分类号：
H10D84/00
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
赵腾飞
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/66申请日:20230707
2025-04-15 公开 公开
共 50 条
[1]
具有内在去耦电容器的单元架构 [P]. 
H·钦塔拉帕里·雷迪 ;
J·霍兰 ;
S·穆罕默德 .
中国专利 :CN110945655A ,2020-03-31
[2]
去耦电容器和布置 [P]. 
S·E·布-加扎利 ;
R·T·埃尔赛义德 ;
N·戈埃尔 .
中国专利 :CN106415838A ,2017-02-15
[3]
去耦电容器及其布局 [P]. 
陈重辉 .
中国专利 :CN103227211A ,2013-07-31
[4]
去耦电容器和布置 [P]. 
S·E·布-加扎利 ;
R·T·埃尔赛义德 ;
N·戈埃尔 .
中国专利 :CN111816654A ,2020-10-23
[5]
去耦电容器和布置 [P]. 
S·E·布-加扎利 ;
R·T·埃尔赛义德 ;
N·戈埃尔 .
中国专利 :CN114613755A ,2022-06-10
[6]
去耦FINFET电容器 [P]. 
陈重辉 .
中国专利 :CN103227210B ,2013-07-31
[7]
去耦电容器及其制造方法 [P]. 
陈重辉 .
中国专利 :CN103208535A ,2013-07-17
[8]
去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路 [P]. 
张现聚 ;
苏志强 ;
丁冲 .
中国专利 :CN103247697B ,2013-08-14
[9]
去耦电容器及其制造方法 [P]. 
陈重辉 .
中国专利 :CN103199121A ,2013-07-10
[10]
集成电路去耦电容器 [P]. 
I·拉希姆 ;
W·B·维斯特 ;
M·W·王 .
中国专利 :CN101753008B ,2010-06-23
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