去耦电容器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210208922.2

申请日：

2012-06-19

公开(公告)号：

CN103208535A

公开(公告)日：

2013-07-17

发明(设计)人：

陈重辉

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2994

IPC分类号：

H01L2102 H01L2706

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-17	公开	公开
2013-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101506737747 IPC(主分类):H01L 29/94 专利申请号:2012102089222 申请日:20120619
2017-09-26	授权	授权

共 50 条

[1]

去耦电容器及其制造方法 [P].

陈重辉 .

中国专利 :CN103199121A ,2013-07-10

[2]

去耦电容器及其布局 [P].

陈重辉 .

中国专利 :CN103227211A ,2013-07-31

[3]

深沟槽去耦电容器器件及其制造方法 [P].

H·L·霍 ;

W·F·埃里斯 ;

金德起 ;

P·C·帕里斯 ;

J·E·法尔特迈尔 ;

J·E·小巴思 ;

B·A·安德森 ;

S·伊耶 ;

R·W·曼 ;

R·迪瓦卡茹尼 .

中国专利 :CN100466263C ,2006-06-28

[4]

去耦电容器架构 [P].

K·K·坎萨格拉 ;

M·钱德拉奈卡 ;

A·古普塔 ;

K·梅迪塞蒂 ;

A·阿拉姆 .

美国专利 :CN119836853A ,2025-04-15

[5]

去耦FINFET电容器 [P].

陈重辉 .

中国专利 :CN103227210B ,2013-07-31

[6]

工艺兼容去耦电容器及制造方法 [P].

涂国基 ;

朱文定 .

中国专利 :CN103579174A ,2014-02-12

[7]

去耦电容器和布置 [P].

S·E·布-加扎利 ;

R·T·埃尔赛义德 ;

N·戈埃尔 .

中国专利 :CN106415838A ,2017-02-15

[8]

去耦电容器和布置 [P].

S·E·布-加扎利 ;

R·T·埃尔赛义德 ;

N·戈埃尔 .

中国专利 :CN111816654A ,2020-10-23

[9]

去耦电容器和布置 [P].

S·E·布-加扎利 ;

R·T·埃尔赛义德 ;

N·戈埃尔 .

中国专利 :CN114613755A ,2022-06-10

[10]

电容器及其制造方法 [P].

丁峰 ;

潘冬 ;

刘念 ;

尹祥祥 .

中国专利 :CN118591280B ,2024-12-06

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