工艺兼容去耦电容器及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210382138.3

申请日：

2012-10-10

公开(公告)号：

CN103579174A

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

涂国基朱文定

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	公开	公开
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578335471 IPC(主分类):H01L 23/522 专利申请号:2012103821383 申请日:20121010
2016-05-18	授权	授权

共 50 条

[1]

去耦电容器及其制造方法 [P].

陈重辉 .

中国专利 :CN103208535A ,2013-07-17

[2]

去耦电容器及其制造方法 [P].

陈重辉 .

中国专利 :CN103199121A ,2013-07-10

[3]

去耦电容器架构 [P].

K·K·坎萨格拉 ;

M·钱德拉奈卡 ;

A·古普塔 ;

K·梅迪塞蒂 ;

A·阿拉姆 .

美国专利 :CN119836853A ,2025-04-15

[4]

去耦电容器及具有该去耦电容器的集成电路 [P].

张现聚 ;

苏志强 ;

丁冲 .

中国专利 :CN103247697B ,2013-08-14

[5]

去耦电容器和布置 [P].

S·E·布-加扎利 ;

R·T·埃尔赛义德 ;

N·戈埃尔 .

中国专利 :CN106415838A ,2017-02-15

[6]

去耦电容器及其布局 [P].

陈重辉 .

中国专利 :CN103227211A ,2013-07-31

[7]

去耦电容器和布置 [P].

S·E·布-加扎利 ;

R·T·埃尔赛义德 ;

N·戈埃尔 .

中国专利 :CN111816654A ,2020-10-23

[8]

去耦电容器和布置 [P].

S·E·布-加扎利 ;

R·T·埃尔赛义德 ;

N·戈埃尔 .

中国专利 :CN114613755A ,2022-06-10

[9]

深沟槽去耦电容器器件及其制造方法 [P].

H·L·霍 ;

W·F·埃里斯 ;

金德起 ;

P·C·帕里斯 ;

J·E·法尔特迈尔 ;

J·E·小巴思 ;

B·A·安德森 ;

S·伊耶 ;

R·W·曼 ;

R·迪瓦卡茹尼 .

中国专利 :CN100466263C ,2006-06-28

[10]

去耦FINFET电容器 [P].

陈重辉 .

中国专利 :CN103227210B ,2013-07-31

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