一种确定光刻工艺的光源光照强度分布的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010620204.7

申请日：

2010-12-31

公开(公告)号：

CN102096336A

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

彭瑶张进宇

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

廖元秋

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-15	公开	公开
2012-12-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101481000707 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2010106202047 申请公布日:20110615
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096118231 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2010106202047 申请日:20101231

共 50 条

[1]

确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法 [P].

张进宇 ;

彭瑶 ;

王燕 ;

余志平 .

中国专利 :CN102169295A ,2011-08-31

[2]

一种确定掩膜版经光刻系统后所成像光照强度分布的方法 [P].

张进宇 ;

彭瑶 ;

王燕 ;

余志平 .

中国专利 :CN102207692A ,2011-10-05

[3]

一种确定关键图形光刻工艺条件的方法 [P].

温斐旻 ;

闫丽荣 ;

王岳 ;

李海涛 .

中国专利 :CN117420738A ,2024-01-19

[4]

确定光刻工艺窗口的方法 [P].

高松 ;

张聪 ;

胡丹丹 .

中国专利 :CN110632827A ,2019-12-31

[5]

确定光刻工艺窗口的方法 [P].

毛智彪 ;

王剑 ;

戴韫青 .

中国专利 :CN102436149A ,2012-05-02

[6]

检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法 [P].

范荣伟 ;

龙吟 ;

陈宏璘 ;

倪棋梁 .

中国专利 :CN103346106A ,2013-10-09

[7]

一种确定光刻工艺窗口的方法 [P].

左凯 .

中国专利 :CN120871557A ,2025-10-31

[8]

光刻工艺的显影方法 [P].

杨光宇 .

中国专利 :CN101393401A ,2009-03-25

[9]

光刻工艺的显影方法 [P].

李燕 ;

曹亮 ;

杨正兵 ;

唐代华 ;

李磊 ;

张华 .

中国专利 :CN103424997B ,2013-12-04

[10]

一种光刻工艺中的晶圆结构 [P].

徐建卫 .

中国专利 :CN207765451U ,2018-08-24

← 1 2 3 4 5 →