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一种确定关键图形光刻工艺条件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311626532.1
申请日
:
2023-11-30
公开(公告)号
:
CN117420738A
公开(公告)日
:
2024-01-19
发明(设计)人
:
温斐旻
闫丽荣
王岳
李海涛
申请人
:
安徽光智科技有限公司
申请人地址
:
239064 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
IPC主分类号
:
G03F7/20
IPC分类号
:
代理机构
:
北京天盾知识产权代理有限公司 11421
代理人
:
肖小龙
法律状态
:
公开
国省代码
:
安徽省 安庆市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-01-19
公开
公开
2024-02-06
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20231130
共 50 条
[1]
确定光刻工艺窗口的方法
[P].
高松
论文数:
0
引用数:
0
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0
高松
;
张聪
论文数:
0
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0
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0
张聪
;
胡丹丹
论文数:
0
引用数:
0
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0
胡丹丹
.
中国专利
:CN110632827A
,2019-12-31
[2]
一种在线确定光刻工艺窗口的方法
[P].
李中华
论文数:
0
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0
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0
李中华
;
毛智彪
论文数:
0
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0
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0
毛智彪
;
甘志锋
论文数:
0
引用数:
0
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0
甘志锋
.
中国专利
:CN103995439B
,2014-08-20
[3]
一种确定接触孔光刻工艺条件方法
[P].
常方强
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
常方强
;
强人峰
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
强人峰
;
胡宁
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
胡宁
;
孟昭生
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
孟昭生
.
中国专利
:CN117389116A
,2024-01-12
[4]
确定光刻工艺窗口的方法
[P].
毛智彪
论文数:
0
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0
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0
毛智彪
;
王剑
论文数:
0
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0
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0
王剑
;
戴韫青
论文数:
0
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0
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0
戴韫青
.
中国专利
:CN102436149A
,2012-05-02
[5]
一种确定光刻工艺窗口的方法
[P].
左凯
论文数:
0
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0
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0
机构:
荣芯半导体(宁波)有限公司
荣芯半导体(宁波)有限公司
左凯
.
中国专利
:CN120871557A
,2025-10-31
[6]
一种确定光刻工艺的光源光照强度分布的方法
[P].
彭瑶
论文数:
0
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0
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0
彭瑶
;
张进宇
论文数:
0
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0
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0
张进宇
.
中国专利
:CN102096336A
,2011-06-15
[7]
确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法
[P].
张进宇
论文数:
0
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0
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0
张进宇
;
彭瑶
论文数:
0
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彭瑶
;
王燕
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0
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0
王燕
;
余志平
论文数:
0
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0
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0
余志平
.
中国专利
:CN102169295A
,2011-08-31
[8]
光刻工艺窗口确定方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
周国栋
;
陈甫讯
论文数:
0
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0
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机构:
浙江大学杭州国际科创中心
浙江大学杭州国际科创中心
陈甫讯
;
陈泽阳
论文数:
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0
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0
机构:
浙江大学杭州国际科创中心
浙江大学杭州国际科创中心
陈泽阳
;
论文数:
引用数:
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机构:
高大为
.
中国专利
:CN120595541A
,2025-09-05
[9]
检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法
[P].
范荣伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
范荣伟
;
龙吟
论文数:
0
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0
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龙吟
;
陈宏璘
论文数:
0
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0
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0
陈宏璘
;
倪棋梁
论文数:
0
引用数:
0
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0
倪棋梁
.
中国专利
:CN103346106A
,2013-10-09
[10]
光刻工艺方法
[P].
官锡俊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
官锡俊
.
中国专利
:CN110632829A
,2019-12-31
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