一种用于高密度等离子体发生装置的整体式放电腔室

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201220345661.4
申请日
2012-07-17
公开(公告)号
CN202738245U
公开(公告)日
2013-02-13
发明(设计)人
芶富均
申请人
申请人地址
610200 四川省成都市双流西南航空港经济开发区工业集中区(西航港科技孵化园)
IPC主分类号
H05H124
IPC分类号
H05H128
代理机构
代理人
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的放电腔室 [P]. 
芶富均 .
中国专利 :CN202697017U ,2013-01-23
[2]
高密度等离子体发生装置 [P]. 
周倩倩 ;
胡炜杰 ;
王红飞 ;
王浩静 .
中国专利 :CN105554995A ,2016-05-04
[3]
高密度等离子体增强工艺腔室 [P]. 
征·约翰·叶 ;
周建华 ;
邵寿潜 ;
苏海尔·安瓦尔 .
美国专利 :CN118451529A ,2024-08-06
[4]
一种用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极 [P]. 
陈波 .
中国专利 :CN202465872U ,2012-10-03
[5]
一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板 [P]. 
陈波 .
中国专利 :CN202465873U ,2012-10-03
[6]
一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板 [P]. 
芶富均 .
中国专利 :CN204335131U ,2015-05-13
[7]
一种用于直流弧放电高密度等离子体发生器的阳极底座 [P]. 
芶富均 .
中国专利 :CN202697018U ,2013-01-23
[8]
一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置 [P]. 
芶富均 .
中国专利 :CN204145870U ,2015-02-04
[9]
一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置 [P]. 
陈波 .
中国专利 :CN202473623U ,2012-10-03
[10]
一种用于产生高密度等离子体的装置 [P]. 
邹威 ;
其他发明人请求不公开姓名 .
中国专利 :CN109518167A ,2019-03-26