半导体基材表面去除氟杂质的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010107211.0

申请日：

2020-02-20

公开(公告)号：

CN113284788A

公开(公告)日：

2021-08-20

发明(设计)人：

邹兴富

申请人：

申请人地址：

523087 广东省东莞市南城区宏远工业区

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-20	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体基材的表面处理方法 [P].

邓振锋 .

中国专利 :CN120072627A ,2025-05-30

[2]

一种半导体基材的表面处理方法 [P].

郎鑫涛 .

中国专利 :CN110359017A ,2019-10-22

[3]

半导体基材表面结构与形成此表面结构的方法 [P].

陈亮斌 .

中国专利 :CN102867883A ,2013-01-09

[4]

半导体基材的处理方法 [P].

黄德权 .

中国专利 :CN120060793A ,2025-05-30

[5]

图形化半导体基材表面的方法 [P].

陈亮斌 .

中国专利 :CN102867884B ,2013-01-09

[6]

去除晶圆表面杂质的方法 [P].

张建 .

中国专利 :CN114284130B ,2025-03-21

[7]

去除晶圆表面杂质的方法 [P].

张建 .

中国专利 :CN114284130A ,2022-04-05

[8]

用于处理半导体基材的表面的方法和设备 [P].

M·索德隆德 ;

P·梅里莱宁 ;

P·拉比松 ;

M·伯松德 .

中国专利 :CN114729452A ,2022-07-08

[9]

用于去除八氟丙烷中六氟环丙烷杂质的装置及其去除方法 [P].

王云飞 ;

尚青 ;

蒋玉虎 ;

邢海洋 ;

苏子杰 ;

路璐 ;

滕莹 ;

路光辉 .

中国专利 :CN114436763A ,2022-05-06

[10]

静电去除基材表面异物的装置和方法 [P].

安东尼奥·罗通达龙 ;

德里克·巴塞特 ;

特拉斯·赫德 ;

伊赫桑·西姆斯 .

中国专利 :CN112789718A ,2021-05-11

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