半导体装置的制造方法及半导体制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110593866.8

申请日：

2021-05-28

公开(公告)号：

CN113764264A

公开(公告)日：

2021-12-07

发明(设计)人：

三神和章南竹春彦金田和德

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21268

IPC分类号：

H01L2166 H01L21331 H01L2167

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/268 申请日:20210528
2021-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法、半导体制造装置 [P].

江崎朗 .

中国专利 :CN103311170A ,2013-09-18

[2]

半导体制造装置以及半导体装置的制造方法 [P].

横山昇 .

中国专利 :CN104779181A ,2015-07-15

[3]

半导体制造方法以及半导体制造装置 [P].

青山敬幸 ;

加藤慎一 .

中国专利 :CN105428400A ,2016-03-23

[4]

半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

岩井贵雅 ;

铃木裕一郎 ;

白尾明稔 ;

小杉祥 ;

藤野纯司 .

中国专利 :CN114514599A ,2022-05-17

[5]

半导体制造装置、使用半导体制造装置的半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

岩井贵雅 ;

铃木裕一郎 ;

白尾明稔 ;

小杉祥 ;

藤野纯司 .

日本专利 :CN114514599B ,2025-05-13

[6]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

岩田亨 .

日本专利 :CN120048751A ,2025-05-27

[7]

半导体制造装置及半导体制造方法 [P].

清水和宏 ;

秋山肇 ;

保田直纪 .

中国专利 :CN1921071B ,2007-02-28

[8]

半导体制造装置以及半导体装置 [P].

桐谷范彦 ;

谷本智 ;

荒井和雄 .

中国专利 :CN101300666A ,2008-11-05

[9]

半导体制造装置、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

财满健 .

日本专利 :CN119869845A ,2025-04-25

[10]

半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

太駄俊彦 ;

黑泽哲也 ;

福田昌利 .

中国专利 :CN110310903A ,2019-10-08

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