半导体制造装置以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680040390.9

申请日：

2006-09-22

公开(公告)号：

CN101300666A

公开(公告)日：

2008-11-05

发明(设计)人：

桐谷范彦谷本智荒井和雄

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2126

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-05	公开	公开
2010-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003848644 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2006800403909 公开日:20081105
2008-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体制造方法以及半导体制造装置 [P].

青山敬幸 ;

加藤慎一 .

中国专利 :CN105428400A ,2016-03-23

[2]

半导体制造装置以及半导体装置的制造方法 [P].

横山昇 .

中国专利 :CN104779181A ,2015-07-15

[3]

半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

太駄俊彦 ;

黑泽哲也 ;

福田昌利 .

中国专利 :CN110310903A ,2019-10-08

[4]

半导体装置的制造方法、半导体制造装置 [P].

江崎朗 .

中国专利 :CN103311170A ,2013-09-18

[5]

半导体装置的制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

秋好恭兵 ;

中西洋介 ;

山田胜 .

日本专利 :CN118658824A ,2024-09-17

[6]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

三神和章 ;

南竹春彦 ;

金田和德 .

中国专利 :CN113764264A ,2021-12-07

[7]

半导体制造装置以及半导体制造方法 [P].

田中博司 .

中国专利 :CN110383428A ,2019-10-25

[8]

半导体制造装置以及半导体制造方法 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN106688079A ,2017-05-17

[9]

半导体制造装置以及半导体制造方法 [P].

田中博司 .

中国专利 :CN110073479A ,2019-07-30

[10]

半导体制造方法以及半导体制造装置 [P].

山口欣秀 .

中国专利 :CN115707346A ,2023-02-17

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