一种无泄漏肖特基超结半导体器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202111591887.2

申请日：

2021-12-23

公开(公告)号：

CN114284360A

公开(公告)日：

2022-04-05

发明(设计)人：

王立中

申请人：

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号信息港五期一号楼208

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289

代理人：

吴文杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20211223
2022-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种肖特基超结半导体器件及其制造方法 [P].

王立中 .

中国专利 :CN113964186A ,2022-01-21

[2]

一种超结半导体器件及其制造方法 [P].

杨国江 ;

于世珩 .

中国专利 :CN115188804B ,2022-11-15

[3]

一种超结半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN105006484A ,2015-10-28

[4]

制造超结半导体器件和半导体器件 [P].

A·威尔梅洛斯 ;

F·希尔勒 ;

H-J·舒尔策 ;

U·瓦尔 ;

W·凯因德尔 .

中国专利 :CN103996701A ,2014-08-20

[5]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN105489498A ,2016-04-13

[6]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

高津爱 ;

梁路 ;

韩廷瑜 .

中国专利 :CN118299403A ,2024-07-05

[7]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

张耀权 ;

韩廷瑜 ;

梁路 .

中国专利 :CN117894820A ,2024-04-16

[8]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

袁家贵 ;

何云 ;

罗顶 ;

管浩 .

中国专利 :CN111463131A ,2020-07-28

[9]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

金起焕 ;

林志容 ;

文寿泳 ;

郑在现 ;

韩珍圣 ;

姜棋太 ;

全盛灿 .

韩国专利 :CN121013378A ,2025-11-25

[10]

超结半导体器件及其制造方法 [P].

朴赞毫 ;

金起焕 ;

李定妍 ;

文寿泳 ;

林志容 .

韩国专利 :CN118352390A ,2024-07-16

← 1 2 3 4 5 →