浅沟槽隔离结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710039879.0

申请日：

2007-04-24

公开(公告)号：

CN100561704C

公开(公告)日：

2008-10-29

发明(设计)人：

朱旋

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2702

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李文红

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20070424 授权公告日:20091118 终止日期:20190424
2008-10-29	公开	公开
2008-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-18	授权	授权
2011-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101249323991 IPC(主分类):H01L 21/762 专利号:ZL2007100398790 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111117

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离结构制造方法 [P].

方精训 ;

邓镭 .

中国专利 :CN102969266A ,2013-03-13

[2]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

邵群 .

中国专利 :CN102693932B ,2012-09-26

[3]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘永 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100576491C ,2008-12-24

[4]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

赵东光 .

中国专利 :CN109524346A ,2019-03-26

[5]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘永 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101330035B ,2008-12-24

[6]

浅沟槽隔离的制造方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN102655111A ,2012-09-05

[7]

高压组件的浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

董业民 ;

叶伟强 ;

李山河 ;

许允埈 ;

邵丽 ;

王俊 .

中国专利 :CN101075574A ,2007-11-21

[8]

浅沟槽隔离结构的制造方法及其形成的浅沟槽隔离结构 [P].

陈宏玮 ;

杨子亿 ;

陈文俊 ;

曹平 .

中国专利 :CN111933570B ,2020-11-13

[9]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

何永根 ;

刘焕新 ;

朴松源 ;

方标 .

中国专利 :CN100483669C ,2008-04-02

[10]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

刘兵武 .

中国专利 :CN101989565A ,2011-03-23

← 1 2 3 4 5 →