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浅沟槽隔离结构及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811224342.6
申请日：
2018-10-19
公开(公告)号：
CN109524346A
公开(公告)日：
2019-03-26
发明(设计)人：
赵东光
申请人：
申请人地址：
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
屈蘅
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-03-26 | 公开 | 公开 |
| 2021-02-23 | 授权 | 授权 |
| 2019-04-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20181019 |