浅沟槽隔离结构及其制造方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811223106.2

申请日：

2018-10-19

公开(公告)号：

CN109524345A

公开(公告)日：

2019-03-26

发明(设计)人：

赵东光占琼

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/762 申请公布日:20190326
2019-03-26	公开	公开
2019-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20181019

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离结构及其制造方法和半导体器件 [P].

赵东光 .

中国专利 :CN109411404A ,2019-03-01

[2]

半导体器件浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

何正临 ;

王冉阳 ;

郭振强 ;

黄鹏 .

中国专利 :CN119890136A ,2025-04-25

[3]

浅沟槽隔离结构、半导体器件及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN109755172A ,2019-05-14

[4]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

赵东光 .

中国专利 :CN109524346A ,2019-03-26

[5]

浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119626982A ,2025-03-14

[6]

浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件 [P].

秦岩 ;

袁钧钊 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN119993900A ,2025-05-13

[7]

浅沟槽隔离结构和半导体器件 [P].

朱梦娜 .

中国专利 :CN208819860U ,2019-05-03

[8]

制造浅沟槽隔离结构的方法和半导体器件 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101221927A ,2008-07-16

[9]

浅沟槽隔离结构及其加工方法和半导体器件制造方法 [P].

江红 ;

孔蔚然 .

中国专利 :CN102214597A ,2011-10-12

[10]

具有浅沟槽隔离的半导体器件及其制造方法 [P].

井上健刚 ;

大田裕之 .

中国专利 :CN1665016A ,2005-09-07

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