共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
浅沟槽隔离结构、半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711086965.7
申请日：
2017-11-07
公开(公告)号：
CN109755172A
公开(公告)日：
2019-05-14
发明(设计)人：
刘金华
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
屈蘅;李时云
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-01-01 | 授权 | 授权 |
| 2019-06-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20171107 |
| 2019-05-14 | 公开 | 公开 |